ВЫРАЩИВАНИЕ СЛОЯ CdTe НА КРЕМНИЕВОЙ ОСНОВЕ И ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СОЗДАННОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ЕЕ ВЛИЯНИЯ НА ВЛАЖНОСТЬ

Authors

  • И.Б.Сапаев Ташкентский институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства» Национальный исследовательский университет
  • Б.Сапаев Ташкентский государственный аграрный университет, д.ф.м.н., профессор
  • А.Абдурахмонов туркменский институт телекоммуникаций и информатики
  • Н.Н.Абдусатторов магистрант Национального университета Узбекистана

Keywords:

материаловедение, полупроводник, фундаментальный

Abstract

В данной статье речь идет о полупроводниковом материаловедении, создании гетероструктур на основе пленок кадмия теллурида полученных на Si- подложке и получения контактов на созданной системе. Морфологию полученных пленок, количество элементов в пленках их распределение и размер поликристаллических частиц изучали с помощью современных приборов. Изучено изменение вольт - амперных характеристик полученной гетероструктур в зависимости от влажности.

Downloads

Published

2022-05-26

Issue

Vol. 10 No. 5 (2022): GIIRJ

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.