ВЫРАЩИВАНИЕ СЛОЯ CdTe НА КРЕМНИЕВОЙ ОСНОВЕ И ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СОЗДАННОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ЕЕ ВЛИЯНИЯ НА ВЛАЖНОСТЬ
Main Article Content
Abstract
В данной статье речь идет о полупроводниковом материаловедении, создании гетероструктур на основе пленок кадмия теллурида полученных на Si- подложке и получения контактов на созданной системе. Морфологию полученных пленок, количество элементов в пленках их распределение и размер поликристаллических частиц изучали с помощью современных приборов. Изучено изменение вольт - амперных характеристик полученной гетероструктур в зависимости от влажности.
Article Details
How to Cite
И.Б.Сапаев, Б.Сапаев, А.Абдурахмонов, & Н.Н.Абдусатторов. (2022). ВЫРАЩИВАНИЕ СЛОЯ CdTe НА КРЕМНИЕВОЙ ОСНОВЕ И ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СОЗДАННОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ЕЕ ВЛИЯНИЯ НА ВЛАЖНОСТЬ. Galaxy International Interdisciplinary Research Journal, 10(5), 731–739. Retrieved from https://internationaljournals.co.in/index.php/giirj/article/view/1939
Section
Articles
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.